SiC Carbide SiC

Cur síos

Wafer Carbide SiC, Tá sé thar a bheith crua, comhdhúil criostalach sileacain agus carbóin a tháirgtear go sintéiseach trí mhodh MOCVD, agus foilseáina bhearna banna uathúil leathan agus tréithe fabhracha eile comhéifeacht íseal leathnú teirmeach, teocht oibriúcháin níos airde, diomailt teasa maith, caillteanais aistrithe agus seoltaí níos ísle, níos tíosaí ar fhuinneamh, seoltacht teirmeach ard agus neart miondealaithe réimse leictreach níos láidre, chomh maith le sruthanna níos comhchruinnithe riocht.Is féidir SiC Carbide SiC ag Western Minmetals (SC) Corporation a sholáthar i méid 2 ″ 3 ″ 4″ agus 6 ″ (50mm, 75mm, 100mm, 150mm) trastomhas, le n-cineál, leath-inslithe nó wafer caol le haghaidh tionsclaíoch agus saotharlainne application.Any sonraíocht saincheaptha é le haghaidh an réiteach foirfe dár gcustaiméirí ar fud an domhain.

Feidhmchláir

Tá sliseog SiC Carbide SiC 4H/6H ar ardchaighdeán foirfe chun go leor gléasanna leictreonacha nua-aimseartha tapa, ardteochta & ardvoltais a mhonarú, mar shampla dé-óid Schottky & SBD, MOSFETanna lascaithe ardchumhachta & JFETanna, etc. ábhar inmhianaithe freisin i dtaighde agus i bhforbairt trasraitheoirí dépholacha geata inslithe agus thyristor.Mar ábhar leathsheoltóra giniúna nua den scoth, feidhmíonn wafer Silicon Carbide SiC freisin mar scaiptheoir teasa éifeachtach i gcomhpháirteanna ard-chumhachta faoi stiúir, nó mar shubstráit chobhsaí agus tóir le haghaidh ciseal GaN atá ag fás i bhfabhar taiscéalaíochta eolaíochta spriocdhírithe sa todhchaí.

Fiosrúchán anois

Sonraí

Clibeanna

Sonraíocht Theicniúil

SiC Carbide SiC

SiC Carbide SiCag Western Minmetals (SC) Corporation is féidir a sholáthar i méid 2 ″ 3 ″ 4″ agus 6 ″ (50mm, 75mm, 100mm, 150mm) trastomhas, le n-cineál, leath-inslithe nó wafer caol le haghaidh feidhmeanna tionsclaíochta agus saotharlainne. .Tá aon sonraíocht saincheaptha le haghaidh an réiteach foirfe dár gcustaiméirí ar fud an domhain.

Foirmle Líneach	SiC
Meáchan Móilíneach	40.1
Struchtúr criostail	Wurtzite
Dealramh	Soladach
Leáphointe	3103±40K
Fiuchphointe	N / A
Dlús ag 300K	3.21 g/cm³
Bearna Fuinnimh	(3.00-3.23) eV
Friotaíocht intreach	>1E5 Ω-cm
Uimhir CAS	409-21-2
Uimhir CE	206-991-8

Níl.	Míreanna	Sonraíocht Chaighdeánach
1	Méid SiC	2"	3"	4"	6"
2	Trastomhas mm	50.8 0.38	76.2 0.38	100 0.5	150 0.5
3	Modh Fáis	MOCVD	MOCVD	MOCVD	MOCVD
4	Cineál Seolta	4H-N, 6H-N, 4H- SI, 6H- SI
5	Friotaíocht Ω-cm	0.015-0.028;0.02-0.1;>1E5
6	Treoshuíomh	0°±0.5°;4.0° i dtreo <1120>
7	Tiús μm	330±25	330±25	(350-500)±25	(350-500)±25
8	Príomhláithreán Árasán	<1-100>±5°	<1-100>±5°	<1-100>±5°	<1-100>±5°
9	Fad Maol Bunscoile mm	16±1.7	22.2±3.2	32.5±2	47.5±2.5
10	Suíomh Tánaisteach Flat	Aghaidh sileacain suas: 90°, deiseal ón bpríomhárasán ±5.0°
11	Fad Comhréidh Tánaisteach mm	8±1.7	11.2±1.5	18±2	22±2.5
12	TTV μm max	15	15	15	15
13	Bow μm max	40	40	40	40
14	Warp μm max	60	60	60	60
15	Eisiamh Imeall mm max	1	2	3	3
16	Dlús micriphíopa cm-2	<5, tionsclaíoch;<15, saotharlann;<50, Caochadán
17	Dislocation cm-2	<3000, tionsclaíoch;<20000, saotharlann;<500000, Caochadán
18	Gearnacht an dromchla nm max	1(Snasta), 0.5 (CMP)
19	Scoilteanna	Níl aon cheann, le haghaidh grád tionsclaíoch
20	Plátaí Heicseagánacha	Níl aon cheann, le haghaidh grád tionsclaíoch
21	scratches	≤3mm, fad iomlán níos lú ná trastomhas an tsubstráit
22	Sceallóga Imeall	Níl aon cheann, le haghaidh grád tionsclaíoch
23	Pacáil	Coimeádán wafer aonair séalaithe i mála ilchodach alúmanaim.

Sileacan Carbide SiC 4H/6Htá wafer ardchaighdeáin foirfe chun go leor gléasanna leictreonacha nua-aimseartha tapa, ardteochta & ardvoltais a mhonarú, mar shampla dé-óid Schottky & SBD, athrú ardchumhachta MOSFETanna & JFETanna, etc. Is ábhar inmhianaithe é freisin sa taighde & forbairt trasraitheoirí dépholacha geata inslithe agus tíristéar.Mar ábhar leathsheoltóra giniúna nua den scoth, feidhmíonn wafer Silicon Carbide SiC freisin mar scaiptheoir teasa éifeachtach i gcomhpháirteanna ard-chumhachta faoi stiúir, nó mar shubstráit chobhsaí agus tóir le haghaidh ciseal GaN atá ag fás i bhfabhar taiscéalaíochta eolaíochta spriocdhírithe sa todhchaí.