GaP Fosfide Gailliam

Cur síos

Is ábhar criostail semitransparent oráiste-buí é Gallium Phosphide GaP, leathsheoltóir tábhachtach d'airíonna uathúla leictreacha mar ábhair chumaisc III-V eile, i struchtúr ciúbach ZB teirmidinimiciúil cobhsaí, le bearna banna indíreach de 2.26 eV (300K), is é sin. sintéisithe ó ghailliam agus fosfar ardíonachta 6N 7N, agus fásadh ina chriostail aonair trí theicníc Czochralski Leachtacha Encapsulated (LEC).Déantar criostail Gailliam Fosfíde a dhópáil sulfair nó teiliúiriam chun leathsheoltóir n-cineál a fháil, agus déantar dópáil since mar sheoltacht p-cineál chun a thuilleadh a dhéanamh isteach i wafer atá ag teastáil, a bhfuil feidhm aige i bhfeistí córais optúla, leictreonacha agus optoelectronics eile.Is féidir sliseog Crystal GaP Aonair a ullmhú Epi-Ready do d'fheidhmchlár epitaxial LPE, MOCVD agus MBE.Is féidir le criostail aonair ardchaighdeáin Gallium phosphide GaP wafer p-cineál, n-cineál nó seoltacht neamhdhópáilte ag Western Minmetals (SC) Corporation a thairiscint i méid 2 ″ agus 3” (50mm, trastomhas 75mm), treoshuíomh <100>, <111 > le bailchríoch dromchla an phróisis chomh gearrtha, snasta nó réidh le epi-.

Feidhmchláir

Le sruth íseal agus éifeachtacht ard i astú solais, tá Gailliam phosphide GaP wafer oiriúnach do chórais taispeána optúla mar dearg, oráiste, agus glas dé-óid astaithe solais (LEDs) ar chostas íseal agus backlight de buí agus glas LCD srl agus déantúsaíochta sliseanna stiúir le. gile íseal go meánach, glactar go forleathan freisin le GaP mar an tsubstráit bhunúsach do mhonarú braiteoirí infridhearg agus ceamaraí monatóireachta.

Fiosrúchán anois

Sonraí

Clibeanna

Sonraíocht Theicniúil

GaP Fosfide Gailliam

Is féidir wafer GaP Gallium Fosfíd criostail aonair ardchaighdeáin nó substráit de chineál p, n-cineál nó seoltacht neamhdhópáilte ag Western Minmetals (SC) Corporation a thairiscint i méid 2″ agus 3” (50mm, 75mm) trastomhas, treoshuíomh <100> , <111> le bailchríoch dromchla mar-ghearrtha, lapped, eitseáilte, snasta, eip-réidh próiseáilte i gcoimeádán wafer amháin séalaithe i mála ilchodach alúmanaim nó mar shonraíocht saincheaptha chun an réiteach foirfe.

Níl.	Míreanna	Sonraíocht Chaighdeánach
1	Méid GaP	2"
2	Trastomhas mm	50.8 ± 0.5
3	Modh Fáis	LEC
4	Cineál Seolta	Cineál P/Zn-dhópáilte, cineál N/(S, Si, Te)-dhópáilte, Neamhdhópáilte
5	Treoshuíomh	<1 1 1> ± 0.5°
6	Tiús μm	(300-400) ±20
7	Friotaíocht Ω-cm	0.003-0.3
8	Treoshuíomh Maol (OF) mm	16±1
9	Aitheantas Maol (IF) mm	8±1
10	Halla Soghluaisteacht cm2/Vs min	100
11	Tiúchan Iompróra cm^-3	(2-20) E17
12	Dislocation Dlús cm^-2uas	2. 00E+05
13	Críochnaigh Dromchla	P/E, P/P
14	Pacáil	Coimeádán wafer aonair séalaithe i mála ilchodach alúmanaim, bosca cartán taobh amuigh

Foirmle Líneach	GaP
Meáchan Móilíneach	100.7
Struchtúr criostail	Cumasc since
Cuma	Oráiste soladach
Leáphointe	N / A
Fiuchphointe	N / A
Dlús ag 300K	4.14 g/cm³
Bearna Fuinnimh	2.26 eV
Friotaíocht intreach	N / A
Uimhir CAS	12063-98-8
Uimhir CE	235-057-2

Wafer GaP Fosfíd Gailliam, le sruth íseal agus éifeachtacht ard i astú solais, oiriúnach do chórais taispeána optúla mar dearg ar chostas íseal, oráiste, agus dé-óid astaithe solais glas (LEDs) agus backlight buí agus glas LCD srl agus sliseanna stiúir déantúsaíochta le íseal go meánach. gile, glactar go forleathan freisin le GaP mar an tsubstráit bhunúsach do mhonarú braiteoirí infridhearg agus ceamaraí monatóireachta.