Indium Arsenide InAs

Cur síos

Indium arsenide Is leathsheoltóir cumaisc de ghrúpa III-V é criostail InAs arna shintéisiú ag eilimint íon Indium agus Arsanaic 6N 7N ar a laghad agus a fhástar criostail aonair trí phróiseas VGF nó Czochralski Encapsulated Leachtach (LEC), cuma dath liath, criostail ciúbach le struchtúr since-cumasc , leáphointe 942 °C.Is trasdul díreach é bearna banna arsenide indium atá comhionann le arsenide Gailliam, agus is é 0.45eV (300K) an leithead banna toirmiscthe.Tá aonfhoirmeacht ard paraiméadair leictreach ag criostail InAs, laitíse tairiseach, soghluaisteacht ard leictreon agus dlús íseal locht.Is féidir criostal sorcóireach InAs a fhásann VGF nó LEC a slisniú agus a dhéanamh i wafer mar atá gearrtha, eitseáilte, snasta nó eip-réidh le haghaidh fáis epitaxial MBE nó MOCVD.

Feidhmchláir

Is substráit iontach é wafer criostail arsenide indium chun feistí Halla agus braiteoir réimse maighnéadach a dhéanamh dá shoghluaisteacht uachtarach halla ach banda bearna fuinnimh caol, ábhar idéalach chun brathadóirí infridhearg a thógáil a bhfuil an raon tonnfhad 1–3.8 µm acu a úsáidtear in iarratais ardchumhachta. ag teocht an tseomra, chomh maith le léasair lár-thonnfhad infridhearg laitíse Super, feistí stiúir lár-infridhearg monarú dá raon tonnfhad 2-14 μm.Ina theannta sin, is substráit idéalach é InAs chun tacaíocht bhreise a thabhairt do struchtúr sár-laitíse ilchineálach InGaAs, InAsSb, InAsPSb & InNASSb nó AlGaSb etc.

Fiosrúchán anois

Sonraí

Clibeanna

Sonraíocht Theicniúil

Arsenide Indiach

InAs

Indium Arsenide Crystal WaferIs foshraith iontach é chun feistí Halla agus braiteoir réimse maighnéadach a dhéanamh dá shoghluaisteacht uachtarach halla ach banda bearna fuinnimh caol, ábhar idéalach chun brathadóirí infridhearg a thógáil a bhfuil an raon tonnfhad 1–3.8 µm acu a úsáidtear in iarratais ardchumhachta ag teocht an tseomra, chomh maith le léasair lár-thonnfhad infridhearg laitíse Super, lár-infridhearg feistí monaraithe feistí le haghaidh a raon tonnfhad 2-14 μm.Ina theannta sin, is substráit idéalach é InAs chun tacaíocht bhreise a thabhairt do struchtúr sár-laitíse ilchineálach InGaAs, InAsSb, InAsPSb & InNASSb nó AlGaSb etc..

Níl.	Míreanna	Sonraíocht Chaighdeánach
1	Méid	2"	3"	4"
2	Trastomhas mm	50.5±0.5	76.2±0.5	100±0.5
3	Modh Fáis	LEC	LEC	LEC
4	Seoltacht	Cineál P/Zn-dhópáilte, cineál N/S-dhópáilte, Neamhdhópáilte
5	Treoshuíomh	(100)±0.5°, (111) ±0.5°
6	Tiús μm	500±25	600±25	800±25
7	Treoshuíomh Maol mm	16±2	22±2	32±2
8	Aitheantas Maol mm	8±1	11±1	18±1
9	Soghluaisteacht cm2/Vs	60-300, ≥2000 nó de réir mar is gá
10	Tiúchan Iompróra cm-3	(3-80)E17 nó ≤5E16
11	TTV μm max	10	10	10
12	Bow μm max	10	10	10
13	Warp μm max	15	15	15
14	Dlús Dislocation cm-2 max	1000	2000	5000
15	Críochnaigh Dromchla	P/E, P/P	P/E, P/P	P/E, P/P
16	Pacáil	Coimeádán wafer aonair séalaithe i mála Alúmanam.

Foirmle Líneach	InAs
Meáchan Móilíneach	189.74
Struchtúr criostail	Cumasc since
Dealramh	Soladach criostalach liath
Leáphointe	(936-942)°C
Fiuchphointe	N / A
Dlús ag 300K	5.67 g / cm³
Bearna Fuinnimh	0. 354 eV
Friotaíocht Intreach	0.16 Ω-cm
Uimhir CAS	1303-11-3
Uimhir CE	215-115-3

Indium Arsenide InAsag Western Minmetals (SC) Corporation is féidir iad a sholáthar mar chnapshuim ilchriostalach nó mar sliseog chriostail shingil mar-gearrtha, eitseáilte, snasta, nó eip-réidh i méid trastomhas 2" 3" agus 4" (50mm, 75mm, 100mm), agus seoltacht p-cineál, n-cineál nó neamhdhópáilte agus <111> nó <100> treoshuíomh.Tá an tsonraíocht saincheaptha le haghaidh an réiteach foirfe dár gcustaiméirí ar fud an domhain.