GaSb Antimonide Gallium

Cur síos

GaSb Antimonide Gallium, leathsheoltóir de chomhdhúile grúpa III–V le struchtúr laitíse since-cumasc, a shintéisiú ag 6N 7N ghailliam ardíonachta agus eilimintí Antamón, agus a fhás go criostal trí mhodh LEC ó thinne polycrystalline reoite go treo nó modh VGF le EPD<1000cm^-3.Is féidir wafer GaSb a shliseadh isteach agus a dhéanamh ina dhiaidh sin ó thinne criostalach aonair le haonfhoirmeacht ard de pharaiméadair leictreacha, struchtúir laitíse uathúla agus tairiseach, agus dlús locht íseal, an t-innéacs athraonta is airde ná an chuid is mó de na comhdhúile neamh-mhiotalacha eile.Is féidir GaSb a phróiseáil le rogha leathan maidir le treoshuíomh beacht nó as, tiúchan dópáilte íseal nó ard, bailchríoch dromchla maith agus le haghaidh fás epitaxial MBE nó MOCVD.Tá tsubstráit Gallium Antimonide á úsáid sna feidhmchláir fhóta-optaice agus optoelectronic is nua-aimseartha, mar shampla déantúsaíocht brathadóirí grianghraf, brathadóirí infridhearg le saolré fada, íogaireacht agus iontaofacht ard, comhpháirt photoresist, soilse infridhearg agus léasair, trasraitheoirí, cill fótavoltach teirmeach. agus córais teirmeafótavoltach.

Seachadadh

Is féidir GaSb Antimonide Gallium ag Western Minmetals (SC) Corporation a thairiscint le seoltacht n-cineál, cineál p agus leath-inslithe neamhdhópáilte i méid trastomhas 2” 3” agus 4” (50mm, 75mm, 100mm), treoshuíomh <111> nó <100>, agus le bailchríoch dromchla wafer de bailchríocha réidh epitaxy mar atá gearrtha, eitseáilte, snasta nó ardchaighdeáin.Scríobhtar léasair ar gach slisne le haghaidh aitheantais.Idir an dá linn, déantar cnapshuim GaSb antaimíd ghailliam polycrystalline a shaincheapadh freisin arna iarraidh sin don réiteach foirfe.

Fiosrúchán anois

Sonraí

Clibeanna

Sonraíocht Theicniúil

Gailliam Antimonide

GaSb

GaSb Antimonide GalliumTá an tsubstráit á úsáid sna feidhmchláir fhóta-optúla agus optoelectronic is nua-aimseartha, mar shampla déantúsaíocht brathadóirí grianghraf, brathadóirí infridhearg le saolré fada, íogaireacht ard agus iontaofacht, comhpháirt photoresist, soilse infridhearg agus léasair, trasraitheoirí, cill fótavoltach teirmeach agus teirmeafosfáití. -córais fhótavoltach.

	Míreanna	Sonraíocht Chaighdeánach
1	Méid	2"	3"	4"
2	Trastomhas mm	50.5±0.5	76.2±0.5	100±0.5
3	Modh Fáis	LEC	LEC	LEC
4	Seoltacht	Cineál P/Zn-dhópáilte, Neamhdhópáilte, cineál N/Te-dhópáilte
5	Treoshuíomh	(100)±0.5°, (111) ±0.5°
6	Tiús μm	500±25	600±25	800±25
7	Treoshuíomh Maol mm	16±2	22±1	32.5±1
8	Aitheantas Maol mm	8±1	11±1	18±1
9	Soghluaisteacht cm2/Vs	200-3500 nó mar is gá
10	Tiúchan Iompróra cm-3	(1-100)E17 nó de réir mar is gá
11	TTV μm max	15	15	15
12	Bow μm max	15	15	15
13	Warp μm max	20	20	20
14	Dlús Dislocation cm-2 max	500	1000	2000
15	Críochnaigh Dromchla	P/E, P/P	P/E, P/P	P/E, P/P
16	Pacáil	Coimeádán wafer aonair séalaithe i mála Alúmanam.

Foirmle Líneach	GaSb
Meáchan Móilíneach	191.48
Struchtúr criostail	Cumasc since
Dealramh	Soladach criostalach liath
Leáphointe	710°C
Fiuchphointe	N / A
Dlús ag 300K	5.61 g/cm³
Bearna Fuinnimh	0.726 eV
Friotaíocht intreach	1E3 Ω-cm
Uimhir CAS	12064-03-8
Uimhir CE	235-058-8

GaSb Antimonide Galliumis féidir ag Western Minmetals (SC) Corporation a thairiscint le seoltacht n-cineál, p-cineál agus leath-inslithe neamhdhópáilte i méid trastomhas 2” 3” agus 4” (50mm, 75mm, 100mm), treoshuíomh <111> nó <100 >, agus le bailchríoch dromchla wafer de bailchríocha réidh epitaxy mar atá gearrtha, eitseáilte, snasta nó ardchaighdeáin.Scríobhtar léasair ar gach slisne le haghaidh aitheantais.Idir an dá linn, déantar cnapshuim GaSb antaimíd ghailliam polycrystalline a shaincheapadh freisin arna iarraidh sin don réiteach foirfe.