Indium Fosfíd InP

Cur síos

Indium Fosfíd InP,CAS Uimh.22398-80-7, leáphointe 1600°C, leathsheoltóir cumaisc dhénártha de theaghlach III-V, struchtúr criostail “cumasc since” ciúbach aghaidh-lárnach, atá comhionann leis an gcuid is mó de na leathsheoltóirí III-V, a shintéisiú ó 6N 7N eilimint indium ard íonachta agus fosfar, agus tar éis fás go criostail aonair trí theicníc LEC nó VGF.Déantar criostail Indium Fosfíde a dhópáil le bheith ina seoltacht n-cineál, p-cineál nó leath-inslithe le haghaidh tuilleadh déantús wafer suas le trastomhas 6″ (150 mm), ina bhfuil a bhearna banda díreach, soghluaisteacht ard leictreon agus poill níos fearr agus teirmeach éifeachtach. seoltacht.Is féidir príomhghrád nó grád tástála Wafer InP Fosfíd Indium ag Western Minmetals (SC) Corporation a thairiscint le seoltacht p-cineál, cineál n agus leath-inslithe i méid trastomhas 2" 3" 4" agus 6" (suas le 150mm), treoshuíomh <111> nó <100> agus tiús 350-625um le bailchríoch dromchla de phróiseas eitseáilte agus snasta nó Epi-réidh.Idir an dá linn tá Indium Phosphide Single Crystal tinne 2-6″ ar fáil ach é a iarraidh.Tá InP Fosfíd Indiam Polacriostalach nó tinne InP Ilchriostalach i méid D(60-75) x Fad (180-400) mm de 2.5-6.0kg le tiúchan iompróra níos lú ná 6E15 nó 6E15-3E16 ar fáil freisin.Aon sonraíocht saincheaptha atá ar fáil arna iarraidh sin chun an réiteach foirfe a bhaint amach.

Feidhmchláir

Úsáidtear wafer InP Fosfíd Indium go forleathan le haghaidh déantúsaíocht comhpháirteanna optoelectronic, feistí leictreonacha ard-chumhachta agus ard-minicíochta, mar fhoshraith d'fheistí opto-leictreonacha atá bunaithe ar indium-gallium-arsenide (InGaAs) epitaxial.Tá Fosfíd Indium i ndéantúsaíocht freisin le haghaidh foinsí solais thar a bheith tuar dóchais inti i gcumarsáid snáithíní optúla, feistí foinse cumhachta micreathonn, aimplitheoirí micreathonn agus feistí FET geata, modhnóirí ardluais agus brathadóirí grianghraf, agus loingseoireacht satailíte agus mar sin de.

Fiosrúchán anois

Sonraí

Clibeanna

Sonraíocht Theicniúil

Indium Fosfíd InP

Criostail Aonair Fosfíd IndiumIs féidir wafer (tinne criostail InP nó Wafer) ag Western Minmetals (SC) Corporation a thairiscint le seoltacht p-cineál, n-cineál agus leath-inslithe i méid trastomhas 2" 3 "4" agus 6" (suas le 150mm), treoshuíomh <111> nó <100> agus tiús 350-625um le bailchríoch dromchla de phróiseas eitseáilte agus snasta nó Epi-réidh.

Fosfíd Indiam Polacriostalachnó Tinne Ilchriostail (tinne inP polai) ar mhéid D(60-75) x L(180-400) mm de 2.5-6.0kg le tiúchan iompróra níos lú ná 6E15 nó 6E15-3E16 ar fáil.Aon sonraíocht saincheaptha atá ar fáil arna iarraidh sin chun an réiteach foirfe a bhaint amach.

Níl.	Míreanna	Sonraíocht Chaighdeánach
1	Criostail Aonair Fosfíd Indium	2"	3"	4"
2	Trastomhas mm	50.8±0.5	76.2±0.5	100±0.5
3	Modh Fáis	VGF	VGF	VGF
4	Seoltacht	P/Zn-dhópáilte, N/(S-dhópáilte nó neamhdhópáilte), leath-inslithe
5	Treoshuíomh	(100)±0.5°, (111) ±0.5°
6	Tiús μm	350±25	600±25	600±25
7	Treoshuíomh Maol mm	16±2	22±1	32.5±1
8	Aitheantas Maol mm	8±1	11±1	18±1
9	Soghluaisteacht cm2/Vs	50-70, >2000, (1.5-4)E3
10	Tiúchan Iompróra cm-3	(0.6-6)E18, ≤3E16
11	TTV μm max	10	10	10
12	Bow μm max	10	10	10
13	Warp μm max	15	15	15
14	Dlús Dislocation cm-2 max	500	1000	2000
15	Críochnaigh Dromchla	P/E, P/P	P/E, P/P	P/E, P/P
16	Pacáil	Coimeádán wafer aonair séalaithe i mála ilchodach alúmanaim.

Níl.	Míreanna	Sonraíocht Chaighdeánach
1	Tinne Fosfíd Indiam	Tinne Polai-criostalach nó Ilchriostail
2	Méid Criostail	D(60-75) x L(180-400)mm
3	Meáchan in aghaidh an tinne criostail	2.5-6.0Kg
4	Soghluaisteacht	≥3500 cm²/VS
5	Tiúchan Iompróra	≤6E15, nó 6E15-3E16 cm^-3
6	Pacáil	Tá gach tinne criostail InP i mála plaisteach séalaithe, 2-3 dtinní i mbosca cartán amháin.

Foirmle Líneach	InP
Meáchan Móilíneach	145.79
Struchtúr criostail	Cumasc since
Dealramh	Criostalach
Leáphointe	1062°C
Fiuchphointe	N / A
Dlús ag 300K	4.81 g/cm³
Bearna Fuinnimh	1. 344 eV
Friotaíocht intreach	8.6E7 Ω-cm
Uimhir CAS	22398-80-7
Uimhir CE	244-959-5

Wafer InP Fosfíd Indiuma úsáidtear go forleathan le haghaidh déantúsaíocht comhpháirteanna optoelectronic, feistí leictreonacha ard-chumhachta agus ard-minicíochta, mar fhoshraith d'fheistí opto-leictreonacha bunaithe ar indium-gallium-arsenide (InGaAs) epitaxial.Tá Fosfíd Indium freisin i ndéantúsaíocht d'fhoinsí solais thar a bheith tuar dóchais inti i gcumarsáid snáithíní optúla, feistí foinse cumhachta micreathonn, aimplitheoirí micreathonn agus feistí FET geata, modhnóirí ardluais agus brathadóirí fótagraif, agus loingseoireacht satailíte agus mar sin de.