Epitaxial (EPI) Silicon Wafer Featured Image

Epitaxial (EPI) Sileacan Wafer

Cur síos

Wafer Sileacain epitaxialnó EPI Silicon Wafer, is wafer de chiseal criostail leathsheoltach é a thaisceadh ar dhromchla criostail snasta foshraith sileacain trí fhás epitaxial.Féadfaidh an ciseal epitaxial an t-ábhar céanna leis an tsubstráit ag fás epitaxial aonchineálach, nó ciseal coimhthíocha le cáilíocht inmhianaithe ar leith ag fás epitaxial ilchineálach, a ghlacann teicneolaíocht fáis epitaxial áirítear ceimiceach sil-leagain gal CVD, LPE epitaxy chéim leachtach, chomh maith le bhíoma móilíneach. epitaxy MBE chun an caighdeán is airde de dhlús locht íseal agus roughness maith dromchla a bhaint amach.Úsáidtear sliseoga epitaxial sileacain go príomha i dtáirgeadh ardfheistí leathsheoltóra, eilimintí leathsheoltóra an-chomhtháite IC, feistí scoite agus cumhachta, a úsáidtear freisin le haghaidh dé-óid agus trasraitheoir nó foshraith le haghaidh IC cosúil le cineál dépholach, feistí MOS agus BiCMOS.Ina theannta sin, is minic a úsáidtear sliseog EPI sileacain scannán tiubh ilchiseal i micrileictreonaic, i bhfótóinic agus i bhfeidhmiú fótavoltach.

Seachadadh

Is féidir Wafers Silicon Epitaxial nó EPI Silicon Wafer ag Western Minmetals (SC) Corporation a thairiscint i méid 4, 5 agus 6 orlach (100mm, 125mm, trastomhas 150mm), le treoshuíomh <100>, <111>, friotachas epilayer de <1ohm. -cm nó suas le 150ohm-cm, agus tiús epilayer de <1um nó suas le 150um, chun na ceanglais éagsúla a shásamh maidir le bailchríoch dromchla cóireála eitseáilte nó LTO, pacáilte i gcaiséad le bosca cartán lasmuigh, nó mar shonraíocht shaincheaptha don réiteach foirfe .

Fiosrúchán anois

Sonraí

Clibeanna

Sonraíocht Theicniúil

Epi Silicon Wafer

Sliseanna Sileacain epitaxialnó is féidir EPI Silicon Wafer ag Western Minmetals (SC) Corporation a thairiscint i méid 4, 5 agus 6 orlach (trastomhas 100mm, 125mm, 150mm), le treoshuíomh <100>, <111>, friotachas epilayer de <1ohm-cm nó suas le 150ohm-cm, agus tiús epilayer de <1um nó suas le 150um, chun na ceanglais éagsúla a shásamh maidir le críochnú dromchla cóireála eitseáilte nó LTO, pacáilte i gcaiséad le bosca cartán lasmuigh, nó mar shonraíocht shaincheaptha don réiteach foirfe.

Siombail	Si
Uimhir Adamhach	14
Meáchan Adamhach	28.09
Catagóir Eiliminte	Miotalóid
Grúpa, Tréimhse, Bloc	14, 3, lch
Struchtúr criostail	Diamond
Dath	Liath dorcha
Leáphointe	1414°C, 1687.15K
Fiuchphointe	3265°C, 3538.15K
Dlús ag 300K	2.329 g/cm³
Friotaíocht intreach	3.2E5 Ω-cm
Uimhir CAS	7440-21-3
Uimhir CE	231-130-8

Níl.	Míreanna	Sonraíocht Chaighdeánach
1	Tréithe Ginearálta
1-1	Méid	4"	5"	6"
1-2	Trastomhas mm	100±0.5	125±0.5	150±0.5
1-3	Treoshuíomh	<100>, <111>	<100>, <111>	<100>, <111>
2	Tréithe Sraithe Eipiteaiseach
2-1	Modh Fáis	CVD	CVD	CVD
2-2	Cineál Seolta	P nó P+, N/ nó N+	P nó P+, N/ nó N+	P nó P+, N/ nó N+
2-3	Tiús μm	2.5-120	2.5-120	2.5-120
2-4	Aonfhoirmeacht Tiús	≤3%	≤3%	≤3%
2-5	Friotaíocht Ω-cm	0.1-50	0.1-50	0.1-50
2-6	Comhionannas Friotaíocht	≤3%	≤5%	-
2-7	Dislocation cm-2	<10	<10	<10
2-8	Cáilíocht Dromchla	Níl aon sliseanna, Clear nó craiceann oráiste fágtha, etc.
3	Déileáil le Saintréithe Foshraith
3-1	Modh Fáis	CZ	CZ	CZ
3-2	Cineál Seolta	P/N	P/N	P/N
3-3	Tiús μm	525-675	525-675	525-675
3-4	Tiús aonfhoirmeacht max	3%	3%	3%
3-5	Friotaíocht Ω-cm	Mar is gá	Mar is gá	Mar is gá
3-6	Comhionannas Friotaíocht	5%	5%	5%
3-7	TTV μm max	10	10	10
3-8	Bow μm max	30	30	30
3-9	Warp μm max	30	30	30
3-10	EPD cm-2 max	100	100	100
3-11	Próifíl Imeall	chothromú	chothromú	chothromú
3-12	Cáilíocht Dromchla	Níl aon sliseanna, Clear nó craiceann oráiste fágtha, etc.
3-13	Críoch Taobh Ar Ais	Eitseáilte nó LTO (5000±500Å)
4	Pacáil	Caiséad taobh istigh, bosca cartán taobh amuigh.

Sliseanna epitaxial sileacaina úsáidtear go príomha i dtáirgeadh ardfheistí leathsheoltóra, eilimintí leathsheoltóra an-chomhtháite ICs, feistí scoite agus cumhachta, a úsáidtear freisin le haghaidh dé-óid agus trasraitheoir nó foshraith le haghaidh IC cosúil le cineál dépholach, feistí MOS agus BiCMOS.Ina theannta sin, is minic a úsáidtear sliseog EPI sileacain scannán tiubh ilchiseal i micrileictreonaic, fótóinic agus fótavoltach.